คุณสมบัติ
TIP32C
– ขั้ว: PNP
– การกระจายพลังงานสูงสุดของคอลเลกเตอร์ (Pc): 40 W
– แรงดันสูงสุดของคอลเลกเตอร์-เบส |Vcb|: 100 V
– แรงดันสูงสุดของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ |Vce|: 100 V
– แรงดันสูงสุดของอิมิตเตอร์-เบส |Veb|: 5 V
– กระแสสูงสุดของคอลเลกเตอร์ |Ic max|: 3 A
– สูงสุด อุณหภูมิการทำงานของจุดเชื่อมต่อ (Tj): 150 °C
– ความถี่ทรานซิชัน (ฟุต): 3 MHz
– อัตราส่วนการถ่ายโอนกระแสไปข้างหน้า (hFE), ต่ำสุด: 20
TIP31C
– ขั้ว: NPN
– การกระจายพลังงานสูงสุดของคอลเลกเตอร์ (Pc): 40 W
– แรงดันไฟฟ้าคอลเลกเตอร์-เบสสูงสุด |Vcb|: 100 V
– แรงดันไฟฟ้าคอลเลกเตอร์-ตัวปล่อยสูงสุด |Vce|: 100V
– แรงดันไฟฟ้าตัวปล่อยสูงสุด |Veb|: 5 V
– กระแสไฟฟ้าคอลเลกเตอร์สูงสุด |Ic max|: 3 A
– อุณหภูมิการทำงานของจุดเชื่อมต่อสูงสุด (Tj): 150 °C
– ความถี่ทรานซิชัน (ฟุต): 3 MHz
– อัตราส่วนการถ่ายโอนกระแสไปข้างหน้า (hFE), ต่ำสุด: 20
Product description
TIP32C
– Polarity: PNP
– Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 40 W
– Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 100 V
– Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 100 V
– Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
– Maximum Collector Current |Ic max|: 3 A
– Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
– Transition Frequency (ft): 3 MHz
– Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 20
TIP31C
– Polarity: NPN
– Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 40 W
– Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 100 V
– Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 100V
– Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
– Maximum Collector Current |Ic max|: 3 A
– Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
– Transition Frequency (ft): 3 MHz
– ชForward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 20
